四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,四氟化碳多少錢,它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強(qiáng),因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時,四氟化碳哪家好,不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng),僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時,會分解產(chǎn)生有毒氟化物。
反應(yīng)放熱后,四氟化碳報價,氟開始和碳化硅進(jìn)行反應(yīng),通入等體積的干燥氮?dú)庖韵♂尫鷼?,使反?yīng)繼續(xù)進(jìn)行,生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝,然后慢慢地氣化。四氟化碳有時會用作低溫冷卻劑。它可用于電路板的制造,以及制造絕緣物質(zhì)和半導(dǎo)體。它是用作氣體蝕刻劑及等離子體蝕刻版。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-H2反應(yīng)離子刻蝕時,通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。
四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。四氟化碳也一樣,比如我們公司生產(chǎn)的鋼瓶裝四氟化碳在14MPA的氣壓下也是液態(tài)的,在正常大氣壓下就是氣態(tài)的,四氟化碳是有一定毒性的應(yīng)該不能用作呼吸。產(chǎn)品經(jīng)除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾,溫州四氟化碳,通過控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。
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