安徽譜純 貨源足(圖)-四氟化碳生產(chǎn)廠家-長沙四氟化碳：

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預先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉，置于鎳盤中，使硅和碳化硅充分接觸后，將鎳盤放入蒙乃爾合金反應管中，向反應管內(nèi)通入氟氣，氟氣先和單質(zhì)硅反應。含鎂大于2%的合金不能用。在高溫，一些金屬起加速CF4分解的催化作用。按其催化作用增長的次序由小到大地排列則如下：因科鎳合金、奧氏體不銹鋼、鎳、鋼、鋁、銅、青銅、黃銅、銀。反應放熱后，氟開始和碳化硅進行反應，通入等體積的干燥氮氣以稀釋氟氣，使反應繼續(xù)進行，生成氣體通過液氮冷卻的鎳制捕集器冷凝，然后慢慢地氣化。

 吸入四氟化碳的后果與濃度有關，包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時間接觸會導致嚴重的心臟破壞。因為導致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子，它被紫外線輻射擊中時會分離。碳-氟鍵比較強，四氟化碳廠，因此分離的可能性比較低。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。

由碳與氟反應，或一氧4化碳與氟反應，或碳化硅與氟反應，或氟石與石油焦在電爐里反應，或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應，或四氯4化碳與氟化銀反應，或四氯4化碳與氟化4氫反應，都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產(chǎn)、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態(tài)、印刷電路生產(chǎn)中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系，長沙四氟化碳，采用CF4-O2反應離子刻蝕時，四氟化碳廠家，通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例，可以獲得45：1的選擇性，這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。

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