因?yàn)樗姆己退姆?硅都是共價(jià)化合物,然而碳氟鍵的鍵能遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于硅氟鍵的鍵能,鍵長也是前者短得多,所以四氟化碳的熱穩(wěn)定性更好。吸入四氟化碳的后果與濃度有關(guān),包括頭1痛、惡心、頭昏眼花及心血1管系統(tǒng)的破壞(主要是心臟)。長時(shí)間接觸會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的心臟破壞。在900℃時(shí),不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng),僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時(shí),會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。
對(duì)于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的,就像氧氣在101kPa時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無色、無臭、不燃的可壓縮性氣體,發(fā)揮性較高.預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
隨著芯片制程向7納米邁進(jìn),細(xì)微雜質(zhì)對(duì)芯片的損害更為明顯,電子產(chǎn)業(yè)對(duì)高純電子氣體的純度要求進(jìn)一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產(chǎn)技術(shù)與產(chǎn)品質(zhì)量仍有提升空間。四氟化碳是一種鹵代烴,化學(xué)式CF4。它既可以被視為一種鹵代烴、全氟化碳,也可以被視為一種無機(jī)化合物。零下198 °C時(shí),四氟化碳具有單斜的結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)為a = 8.597, b= 4.433, c = 8.381 (.10-1?nm), β = 118.73° 。高純四氟化碳在常溫常壓條件下化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定,高純四氟化碳是一種高純電子氣體,在電子產(chǎn)業(yè)中需求量大。
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