四氟化碳是可作為氟和自由基氟化碳的來(lái)源,用于各種晶片蝕刻工藝。四氟化碳和氧結(jié)合用以蝕刻多晶硅、二氧化硅和氮化硅。因?yàn)閷?dǎo)致臭氧層破壞的是氟氯烴中的氯原子,它被紫外線輻射擊中時(shí)會(huì)分離。碳-氟鍵比較強(qiáng),因此分離的可能性比較低。四氟化碳在900℃時(shí),不與銅、鎳、鎢、鉬反應(yīng),僅在碳弧溫度下緩慢分解,微溶于水,在25℃及0.1Mpa下其溶解度為0.0015%(重量比),然而與可燃性氣體燃燒時(shí),會(huì)分解產(chǎn)生有毒氟化物。
對(duì)于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應(yīng)離子刻蝕時(shí),通過(guò)調(diào)節(jié)兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時(shí)很有用。四氟化碳在不同的大氣壓下呈現(xiàn)的狀態(tài)是不同的,就像氧氣在101kPa時(shí)會(huì)呈現(xiàn)出液態(tài)。四氟化碳是無(wú)色、無(wú)臭、不燃的可壓縮性氣體,發(fā)揮性較高.預(yù)先稱取5~10g的碳化硅粉末和0.1g的單質(zhì)硅粉,置于鎳盤中,使硅和碳化硅充分接觸后,將鎳盤放入蒙乃爾合金反應(yīng)管中,向反應(yīng)管內(nèi)通入氟氣,氟氣先和單質(zhì)硅反應(yīng)。
四氟化碳亦稱全氟化碳、四氟甲1烷、全氟化碳,為非腐蝕性氣體,所有通用材料如鋼、不銹鋼、銅、青銅,鋁等金屬材料都可以使用。產(chǎn)品經(jīng)除塵,堿洗除去HF、CoF2、SiF4、CO2等雜質(zhì)、再經(jīng)脫水可獲得含量約為85%的粗品。將粗品引入低溫精餾釜中進(jìn)行間歇粗餾,通過(guò)控制精餾溫度,除去O2、N2、H2,得到高純CF4。由碳與氟反應(yīng),或一氧1化碳與氟反應(yīng),或碳化硅與氟反應(yīng),或氟石與石油焦在電爐里反應(yīng),或二氟二氯甲1烷與反應(yīng),或四氯1化碳與氟化銀反應(yīng),或四氯1化碳與氟1化氫反應(yīng),都能生成四氟1化碳。
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